Samsung Exynos 2700 performans ve ısı yönetiminde sıçrama hedefliyor

Exynos 2700, Samsung’un hem performans hem de termal verimlilik açısından önemli bir sıçrama hedeflediği yeni nesil işlemci olarak öne çıkıyor. Gelen bilgilere göre Samsung, önceki nesillerde başlattığı mimari dönüşümü daha ileri taşıyarak özellikle ısı yönetimi ve bellek performansı tarafında dikkat çekici iyileştirmeler planlıyor.

Şirketin bir önceki nesil Exynos 2600 ile elde ettiği termal stabilite kazanımı, yeni modelde daha gelişmiş çözümlerle desteklenecek. Bu kapsamda yenilikçi side-by-side (SBS) mimarisi ve daha optimize edilmiş bir ısı emici yapı, Exynos 2700’ün temel tasarım yaklaşımını oluşturacak.

SF2P üretim süreci ve 2nm GAA altyapısı

Exynos 2700’ün, Samsung’un SF2P üretim süreci üzerine inşa edilmesi bekleniyor. Bu süreç, Exynos 2600’de kullanılan 2nm Gate-All-Around (GAA) teknolojisinin geliştirilmiş bir versiyonu olarak konumlanıyor.

GAA mimarisi, transistör kanalını dört taraftan saran kapı yapısıyla dikkat çekiyor. Dikey olarak istiflenmiş nanosheet tabanlı bu yapı, elektriksel kontrolü artırırken daha düşük voltaj eşiği ile çalışabiliyor. Bu sayede hem verimlilik hem de performans tarafında daha dengeli bir yapı elde ediliyor.

SF2P süreciyle birlikte Samsung’un hedefi, önceki SF2 sürecine kıyasla yaklaşık %12 performans artışı ve %25 enerji tüketiminde azalma sağlamak.

İç tasarım yeniden şekillenecek

Yeni nesil işlemcide en kritik değişimlerden biri mimari yerleşim tarafında gerçekleşiyor. Exynos 2600’de kullanılan “sandviç” yapıda RAM, SoC’nin üzerine yerleştirilirken üst kısımda bakır tabanlı ısı emici (Heat Path Block – HPB) bulunuyordu. Bu yapı ısıl verimlilik sağlasa da SoC ile RAM arasında sıkışan ısı yönetiminde sınırlamalar oluşturuyordu.

Exynos 2700’de ise Samsung, Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP) teknolojisini devreye alarak RAM ve SoC’yi aynı düzlemde, yan yana konumlandırmayı hedefliyor. Bu side-by-side (SBS) yaklaşım bileşenler arasındaki bağlantı mesafesini önemli ölçüde kısaltarak daha kompakt ve verimli bir yapı sunuyor.

Bu değişim yalnızca fiziksel yerleşimi değil, veri aktarım mimarisini de doğrudan etkiliyor. Kısalan bağlantılar sayesinde bellek bant genişliğinde %30 ila %40 arasında artış bekleniyor. Aynı zamanda güç tüketiminde de iyileşme sağlanacağı belirtiliyor.

Bununla birlikte HPB ısı emici yapısının yeniden konumlandırılması da önemli bir avantaj sağlıyor. Yeni tasarımda HPB, hem SoC’nin hem de RAM’in üzerine yerleştirilerek ısının daha dengeli şekilde dağıtılmasına olanak tanıyor. Bu sayede yonga setinin genel termal stabilitesi önemli ölçüde güçlendiriliyor.